Devices stability of Ga-doped InZnSnO thin film transistors using quantitative analysis as a function of oxygen-related defect states
페이지 정보

작성자 최고관리자
작성일 2024-03-28 10:15 조회 72회 댓글 0건
본문
Devices stability of Ga-doped InZnSnO thin film transistors using quantitative analysis as a function of oxygen-related defect states
최나영
ITC
대한민국 대전
댓글목록
등록된 댓글이 없습니다.